国网天津电科院:攻关变电站直流电源蓄电池的质量提升

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2025-07-06 11:08:07

2007年相对封闭和沉寂的安防市场大门,国网关变突然被平安城市这双手在一夜之间打开。

天津提升该成果近日以题为DualInterfacialDesignforEfficientCsPbI2BrPerovskiteSolarCellswithImprovedPhotostability发表在知名期刊Adv.Mater.上。电科电站电源(a-b)在SnO2(a)和SnO2/PN4N(b)ETLs上的CsPbI2Br薄膜的SEM图像。

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最后理论和实验结果都表明PN4N和PDCBT可以与钙钛矿晶体发生强烈的相互作用,院攻有效钝化CsPbI2Br薄膜的表面陷阱态,抑制光诱导卤化物迁移。直流质量(b)不同ETLs的无机CsPbI2BrPVSC的EQE光谱。蓄电(a-b)在不同的照射时间后SnO2(a)上的CsPbI2Br薄膜和SnO2/PN4N(b)上的CsPbI2Br薄膜的稳态PL光谱。

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(c)CsPbI2Br,国网关变SnO2/CsPbI2Br和SnO2/PN4N/CsPbI2Br的归一化瞬态PL衰减光谱。【成果简介】近期,天津提升华南理工大学叶轩立教授和薛启帆副研究员通过引入氨基官能化聚合物(PN4N)阴极中间层,天津提升系统地研究了界面工程对表面缺陷钝化、光诱导相分离、薄膜形貌控制、电荷重组性能和器件效率的影响。

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【研究背景】由于优异的光电性能(高吸收系数、电科电站电源易调节的带隙、电科电站电源长载流子扩散长度等),有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池(PVSC)的认证功率转换效率(PCE)超过23%,成为最有前景的光伏材料之一。

作者发现PN4N可以在几个方面改善器件:院攻(1)PN4N表面的化学均匀性和疏水性越好,CsPbI2Br钙钛矿薄膜生长得越好,结晶度提高,晶粒尺寸也越大。三年间,直流质量小米电视俨然引领了智能电视的行业发展。

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